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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,027.0
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno -108% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
25
Velocità di lettura, GB/s
4,837.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,027.0
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
794
2686
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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