RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,378.6
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
62
Intorno -138% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
26
Velocità di lettura, GB/s
4,670.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,378.6
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
861
3417
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kllisre 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link