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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
71
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
2,378.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
71
Velocità di lettura, GB/s
4,670.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,378.6
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
861
1986
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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