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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
3731
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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