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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
3857
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
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