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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Differenze
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
3418
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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