RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
41
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2302
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link