RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
3149
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link