RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
85
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
85
Velocità di lettura, GB/s
13.9
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
1118
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BD186D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link