RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2973
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link