RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno 47% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
51
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2687
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link