RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
48
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
48
Velocità di lettura, GB/s
13.9
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2431
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link