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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2163
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB
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