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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2165
2807
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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