Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    39 left arrow 41
    Intorno -5% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 14.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.5 left arrow 9.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.3 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.4 left arrow 11.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2142 left arrow 2264
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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