RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
36
Velocità di lettura, GB/s
12.1
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2231
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link