RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
12.1
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
3268
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link