RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
12.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
3651
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link