Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Punteggio complessivo
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 85
    Intorno 71% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.6 left arrow 6.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 85
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.1 left arrow 11.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.6 left arrow 6.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2045 left arrow 1118
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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