RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
86
Intorno 71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
5.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
86
Velocità di lettura, GB/s
12.1
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
5.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
1220
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link