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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
25
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
22
Velocità di lettura, GB/s
12.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2633
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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