Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 66
    Intorno 62% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.6 left arrow 7.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 12.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 66
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.1 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.6 left arrow 7.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2045 left arrow 1699
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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