RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Confronto
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,001.3
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
58
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
29
Velocità di lettura, GB/s
4,796.5
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.3
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
768
3483
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link