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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Confronto
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
58
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,001.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
51
Velocità di lettura, GB/s
4,796.5
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.3
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
768
2359
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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