RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
65
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
34
Velocità di lettura, GB/s
6.1
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
3043
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link