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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
65
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
36
Velocità di lettura, GB/s
6.1
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
2466
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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