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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
65
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
30
Velocità di lettura, GB/s
6.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
3238
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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