RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Confronto
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
3316
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link