RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
25
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
18
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
3668
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link