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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
3045
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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