RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Confronto
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
8.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1241
2975
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link