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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
45
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
45
Velocità di lettura, GB/s
12.5
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2087
1939
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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