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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
43
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
39
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2808
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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