RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2665
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link