RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
43
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
38
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2148
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link