RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
96
Intorno 55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
4.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
96
Velocità di lettura, GB/s
12.7
6.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
992
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link