RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Confronto
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2267
3579
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link