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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Confronto
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
24
Velocità di lettura, GB/s
14.4
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2267
1433
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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