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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2267
3113
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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