RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Confronto
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2302
2913
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link