RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
16.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
18
Velocità di lettura, GB/s
20.5
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
16.4
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3530
3668
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link