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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Confronto
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Punteggio complessivo
Teclast TLD416G26A30 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
36
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teclast TLD416G26A30 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
36
Velocità di lettura, GB/s
20.5
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
16.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3530
2719
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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