RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
52
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
45
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
2190
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link