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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
3119
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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