RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
90
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
90
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
1743
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link