RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
4084
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link