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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
19.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
3635
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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