RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
3701
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link