RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
18.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
3899
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link