RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
75
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
75
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
1548
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link